Как стало известно порталу FBM.ru – сотрудники лаборатории научного института МФТИ, который находиться в городе Долгопрудный Московской области, вместе с коллегами из Южной Кореи, изучили как влияют дефекты поверхности одного из электродов на свойства ячейки резистивной памяти.